جوانه‌زنی و رشد الکتروشیمیایی مس روی پایه مولیبدن: اثر pH، پتانسیل و روش تمیز کردن سطح

در این تحقیق با استفاده از تکنیک­های ولتامتری سیکلی[1] و کرونوآمپرومتری[2] مراحل اولیه رسوب­دهی الکتروشیمیایی مس روی فلز پایه مولیبدن در محلول اندکی اسیدی مطالعه شده است. رسوب­دهی الکتروشیمیایی مس بر روی فلز پایه مولیبدن از دیدگاه ترمودینامیکی، سینتیکی، مکانیزم جوانه­زنی و رشد مورد ارزیابی قرار گرفت. با استفاده از ولتامتری سیکلی تعیین شد که رسوب­دهی الکتروشیمیایی مس روی فلز پایه مولیبدن یک فرایند برگشت­ناپذیر و تحت کنترل نفوذ می­باشد. تحت کنترل نفوذ بودن رسوب­دهی الکتروشیمیایی مس بر روی فلز پایه مولیبدن توسط رابطه­ی Randles-Sevcik تایید گردید. ضریب نفوذ مس در 3 pH= و 4 با استفاده از رابطه­ی Randles-Sevcik و رابطه­ی Cottrel محاسبه شدند که در تطابق خوبی با هم بودند. با استفاده از مدل Sharifker-Hills منحنی­های جریان گذرا[3]مس تحلیل شدند. مکانیزم جوانه­زنی مس به عنوان تابعی از pH و پتانسیل مورد بررسی قرار گرفتند. در3 pH= و 4 مکانیزم جوانه­زنی و رشد مس روی نمونه­ سمباده شده به‌صورت ترکیبی از آنی[4] و پیشرونده[5] سه بعدی بود درحالی‌که با افزایش pH و پتانسیل مکانیزم جوانه­زنی به سمت مکانیزم آنی سه بعدی متمایل شد. غوطه‌ور کردن فلز پایه در محلول حاوی آمونیاک و سپس اسید کلریدریک بعد از سمباده زدن تاثیری بر روی مکانیزم جوانه­زنی و رشد نداشت. اچ کردن فلز پایه در محلول حاوی اسید سولفوریک، اسید نیتریک و اسید کلریدریک بعد از سمباده زدن مکانیزم جوانه­زنی را از حالت آنی سه بعدی به پیشرونده سه بعدی تغییر داد.    [1] -Cyclic voltammetry [2] -Chronoamperometry [3] -current transient [4]- instantaneous [5]- progressive